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STR2P3LLH6

STR2P3LLH6
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Référence STR2P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 478238 pcs
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Référence STR2P3LLH6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 478238 pcs Fiche technique STR2P3LLH6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23 Séries STripFET™ H6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 1A, 10V Dissipation de puissance (max) 350mW (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms 497-15520-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 639pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée P-Channel 30V 2A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)

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