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STS1NK60Z

STS1NK60Z
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Référence STS1NK60Z
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 170049 pcs
Référence Prix
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Référence STS1NK60Z Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 170049 pcs Fiche technique STS1NK60Z
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO Séries SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 400mA, 10V Dissipation de puissance (max) 2W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms 497-12798-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 94pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Tc)

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