STS3DNE60L
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| Référence | STS3DNE60L |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.238 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STS3DNE60L | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 80940 pcs | Fiche technique | STS3DNE60L |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 10V | Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A |
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