STSJ100NHS3LL
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| Référence | STSJ100NHS3LL |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.70 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STSJ100NHS3LL | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 43158 pcs | Fiche technique | STSJ100NHS3LL |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±16V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC-EP | Séries | STripFET™ III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 10A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
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