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STSJ50NH3LL

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Référence STSJ50NH3LL
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 95395 pcs
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Référence STSJ50NH3LL Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 95395 pcs Fiche technique STSJ50NH3LL
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 6A, 10V Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Autres noms 497-4755-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 965pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 50A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

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