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STTH4R02B

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Référence STTH4R02B
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5309 pcs
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Référence STTH4R02B Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5309 pcs Fiche technique STTH4R02
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 4A Tension - Ventilation D-Pak
Séries - État RoHS Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Température d'utilisation - Jonction 30ns
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant STTH4R02B Description élargie Diode Standard 200V 4A Surface Mount D-Pak
Configuration diode 3µA @ 200V La description DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr 1.05V @ 4A Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200V
Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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