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STTH4R06DEE-TR

STTH4R06DEE-TR
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Référence STTH4R06DEE-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 73673 pcs
Référence Prix
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Référence STTH4R06DEE-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 73673 pcs Fiche technique STTH4R06DEE
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 50ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-PowerVDFN Autres noms 497-13333-6
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 4A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) Courant - fuite, inverse à Vr 3µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base STTH4R06

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