STU10NM65N
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| Référence | STU10NM65N |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 9A IPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.664 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STU10NM65N | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 9A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 47032 pcs | Fiche technique | STx10NM65N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-PAK | Séries | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
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