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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STU16N65M5

STU16N65M5

STU16N65M5
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence STU16N65M5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 19836 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs
$1.792

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Référence STU16N65M5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 12A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 19836 pcs Fiche technique STx16N65M5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK Séries MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 6A, 10V Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms 497-11402-5
STU16N65M5-ND		 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)

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