STV160NF02LAT4
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| Référence | STV160NF02LAT4 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.533 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STV160NF02LAT4 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 21537 pcs | Fiche technique | STV160NF02LA |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 10-PowerSO | Séries | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 210W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
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