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STV160NF02LT4

STV160NF02LT4
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Référence STV160NF02LT4
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 21606 pcs
Référence Prix
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Référence STV160NF02LT4 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 21606 pcs Fiche technique STV160NF02L
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 10-PowerSO Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 80A, 10V Dissipation de puissance (max) 210W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Autres noms 497-3251-2 Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc)

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