STW11NB80
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| Référence | STW11NB80 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.511 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STW11NB80 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 25603 pcs | Fiche technique | STW11NB80 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | Séries | PowerMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 190W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-2789-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V | Description détaillée | N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
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