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STW48NM60N

STW48NM60N
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Référence STW48NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 39A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 10102 pcs
Référence Prix
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Référence STW48NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 10102 pcs Fiche technique STW48NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 20A, 10V Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-11367-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4285pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 44A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)

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