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TSM4NB60CP ROG

TSM4NB60CP ROG
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Référence TSM4NB60CP ROG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 158216 pcs
Référence Prix
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Référence TSM4NB60CP ROG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 158216 pcs Fiche technique TSM4NB60
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGCT-ND
TSM4NB60CPROGCT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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