TSM4NB65CP ROG
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| Référence | TSM4NB65CP ROG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.12 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM4NB65CP ROG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 187666 pcs | Fiche technique | TSM4NB65 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.37 Ohm @ 2A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | TSM4NB65CP ROGTR TSM4NB65CP ROGTR-ND TSM4NB65CPROGTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.46nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
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