TSM60N600CP ROG
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| Référence | TSM60N600CP ROG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.309 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM60N600CP ROG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 74263 pcs | Fiche technique | TSM60N600 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | TSM60N600CP ROGTR TSM60N600CP ROGTR-ND TSM60N600CPROGTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 743pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V | Description détaillée | N-Channel 600V 8A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
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