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TSM60N900CP ROG

TSM60N900CP ROG
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Référence TSM60N900CP ROG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 99246 pcs
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Référence TSM60N900CP ROG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 99246 pcs Fiche technique TSM60N900
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.3A, 10V Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms TSM60N900CP ROGTR
TSM60N900CP ROGTR-ND
TSM60N900CPROGTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)

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