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TSM6N50CP ROG

TSM6N50CP ROG
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Référence TSM6N50CP ROG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5813 pcs
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Référence TSM6N50CP ROG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5813 pcs Fiche technique TSM6N50
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms TSM6N50CP ROGCT
TSM6N50CP ROGCT-ND
TSM6N50CPROGCT
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Ta)

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