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MUN5333DW1T1

MUN5333DW1T1
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Référence MUN5333DW1T1
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4511 pcs
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Référence MUN5333DW1T1 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4511 pcs Fiche technique MUN5311DW1T1 Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 250mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MUN53**DW1

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