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MUN5335DW1T2G

MUN5335DW1T2G
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Référence MUN5335DW1T2G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 2421538 pcs
Référence Prix
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Référence MUN5335DW1T2G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 2421538 pcs Fiche technique MUN5335DW1, NSBC123JPDxx
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 250mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms MUN5335DW1T2GOS
MUN5335DW1T2GOS-ND
MUN5335DW1T2GOSTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MUN53**DW1

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