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CDBJFSC8650-G

CDBJFSC8650-G
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Référence CDBJFSC8650-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 41393 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs10 pcs50 pcs100 pcs
$1.563$1.397$1.257$1.145
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Référence CDBJFSC8650-G Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 41393 pcs Fiche technique CDBJFSC8650-G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur TO-220F
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Package / Boîte TO-220-2 Full Pack
Autres noms 641-1937 Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220F
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A (DC)
Capacité à Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz

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