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CDBJSC5650-G

CDBJSC5650-G
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Référence CDBJSC5650-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 76752 pcs
Référence Prix
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$0.90$0.814$0.727$0.654
250 pcs500 pcs1000 pcs2500 pcs
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Référence CDBJSC5650-G Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 76752 pcs Fiche technique CDBJSC5650-G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur TO-220F
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Package / Boîte TO-220-2 Full Pack
Autres noms 641-1940 Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A (DC) Through Hole TO-220F
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 650V Courant - Rectifié moyenne (Io) 5A (DC)
Capacité à Vr, F 430pF @ 0V, 1MHz

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