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CDBJSC8650-G

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Référence CDBJSC8650-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 53370 pcs
Référence Prix
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Référence CDBJSC8650-G Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 53370 pcs Fiche technique CDBJSC8650-G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 650V Package composant fournisseur TO-220-2
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Package / Boîte TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Silicon Carbide Schottky
Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2 Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A (DC) Capacité à Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz

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