CEFA102-G
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| Référence | CEFA102-G |
|---|---|
| Fabricant | Comchip Technology |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | CEFA102-G | Fabricant | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4870 pcs | Fiche technique | CEFA101-G thru 105-G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A | Tension - Ventilation | DO-214AC (SMA) |
| Séries | - | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-214AC, SMA | Température d'utilisation - Jonction | 25ns |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | CEFA102-G | Description élargie | Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Configuration diode | 5µA @ 50V | La description | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 920mV @ 1A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100V |
| Capacité à Vr, F | 150°C (Max) |
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