EPC2100ENG
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| Référence | EPC2100ENG |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.639 | $3.315 | $2.992 | $2.749 | $2.507 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2100ENG | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 12516 pcs | Fiche technique | EPC2100 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
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- Partie#:
MK60FX512VLQ12 - Fabricant:
NXP USA Inc. - La description:
IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP - En stock:
7578