EPC2103ENG
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| Référence | EPC2103ENG |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.10 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2103ENG | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 7980 pcs | Fiche technique | EPC2103 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-EPC2103ENG EPC2103ENGRH7 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V | type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 23A |
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