EPC2101ENG
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| Référence | EPC2101ENG |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.994 | $3.694 | $3.395 | $3.095 | $2.896 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2101ENG | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 13196 pcs | Fiche technique | EPC2101 Preliminary Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V | type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.5A, 38A |
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