EPC2818
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| Référence | EPC2818 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | 300 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.062 | $6.481 | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2818 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4795 pcs | Fiche technique | EPC2818 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 540pF @ 100V |
| Tension - Ventilation | Die | Vgs (th) (Max) @ Id | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs (Max) | 5V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries | eGaN® | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12A (Ta) | Polarisation | Die |
| Autres noms | 917-1037-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | EPC2818 | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5nC @ 5V |
| type de IGBT | +6V, -5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 3mA |
| Fonction FET | N-Channel | Description élargie | N-Channel 150V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss) | - | La description | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150V | Ratio de capacité | - |
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