EPC2110
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| Référence | EPC2110 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.973 | $0.879 | $0.784 | $0.706 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.628 | $0.549 | $0.455 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2110 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 79887 pcs | Fiche technique | EPC2110 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1152-1 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 120V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.4A |
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