EPC2801
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| Référence | EPC2801 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | 300 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.495 | $3.186 | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2801 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 11486 pcs | Fiche technique | EPC2801 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 950pF @ 50V |
| Tension - Ventilation | Die | Vgs (th) (Max) @ Id | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (Max) | 5V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries | eGaN® | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25A (Ta) | Polarisation | Die |
| Autres noms | 917-1035-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | EPC2801 | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10nC @ 5V |
| type de IGBT | +6V, -5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 5mA |
| Fonction FET | N-Channel | Description élargie | N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss) | - | La description | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100V | Ratio de capacité | - |
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