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IPA65R065C7XKSA1

IPA65R065C7XKSA1
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Référence IPA65R065C7XKSA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V TO220-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 16729 pcs
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Référence IPA65R065C7XKSA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V TO220-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 16729 pcs Fiche technique IPA65R065C7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO220-FP Séries CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 17.1A, 10V Dissipation de puissance (max) 34W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms SP001080114 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)

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