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IPA65R099C6XKSA1

IPA65R099C6XKSA1
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Référence IPA65R099C6XKSA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 38A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4649 pcs
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Référence IPA65R099C6XKSA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 38A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4649 pcs Fiche technique IPx65R099C6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms SP000895220 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 38A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)

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