IPA65R190C6XKSA1
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| Référence | IPA65R190C6XKSA1 |
|---|---|
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IPA65R190C6XKSA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4886 pcs | Fiche technique | IPx65R190C6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO220 Full Pack | Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | IPA65R190C6 IPA65R190C6-ND SP000863892 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20.2A (Tc) |
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