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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC024XMT2L

DTC024XMT2L

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Référence DTC024XMT2L
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1415787 pcs
Référence Prix
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Référence DTC024XMT2L Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1415787 pcs Fiche technique DTC024X SeriesVMT3 T2L Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur VMT3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SOT-723 Autres noms DTC024XMT2LCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA

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