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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC043EEBTL

DTC043EEBTL

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Référence DTC043EEBTL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1764916 pcs
Référence Prix
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Référence DTC043EEBTL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1764916 pcs Fiche technique DTC043E SeriesEMT3 TL Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL) Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SC-89, SOT-490 Autres noms DTC043EEBTLCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 40 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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