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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC043EUBTL

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Référence DTC043EUBTL
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1207109 pcs
Référence Prix
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Référence DTC043EUBTL Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1207109 pcs Fiche technique UMT3 T106 Taping SpecDTC043E Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur UMT3F Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SC-85 Autres noms DTC043EUBTLDKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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