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UMB2NTN

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Référence UMB2NTN
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1009881 pcs
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Référence UMB2NTN Fabricant LAPIS Semiconductor
La description TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1009881 pcs Fiche technique UMT6 TN Taping SpecEMB2, UMB2N, IMB2A
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms UMB2NTN-ND
UMB2NTNTR
UMT6/SC-88/SOT-363
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MB2

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