UMB3NTN
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| Référence | UMB3NTN |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | $0.118 | $0.092 | $0.07 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.049 | $0.039 | $0.03 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | UMB3NTN | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 806796 pcs | Fiche technique | EMB3, UMB3N, IMB3AUMT6 TN Taping Spec |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 5mA | Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | UMT6 | Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - | Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Autres noms | UMB3NTNCT |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | Numéro de pièce de base | MB3 |
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