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UMB3NFHATN

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Référence UMB3NFHATN
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1044682 pcs
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Référence UMB3NFHATN Fabricant LAPIS Semiconductor
La description PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1044682 pcs Fiche technique UMT6 TN Taping SpecUMB3NFHA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6 Séries Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms UMB3NFHATNTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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