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DS1230Y-100+

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Référence DS1230Y-100+
Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4575 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs
$11.051$10.498$9.689
50 pcs100 pcs250 pcs
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Référence DS1230Y-100+ Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4575 pcs Fiche technique DS1230Y, AB
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 100ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Autres noms DS1230Y100 Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire NVSRAM
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-EDIP Numéro de pièce de base DS1230Y
Temps d'accès 100ns

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