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DS1230Y-200

DS1230Y-200
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Référence DS1230Y-200
Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5537 pcs
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Référence DS1230Y-200 Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5537 pcs Fiche technique DS1230Y, AB
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 200ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Autres noms DS1230Y200 Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire NVSRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
Numéro de pièce de base DS1230Y Temps d'accès 200ns

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