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DS1230Y-120IND

DS1230Y-120IND
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Référence DS1230Y-120IND
Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5650 pcs
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Référence DS1230Y-120IND Fabricant Maxim Integrated
La description IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5650 pcs Fiche technique DS1230Y, AB
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 120ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-EDIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 256Kb (32K x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire NVSRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP Numéro de pièce de base DS1230Y
Temps d'accès 120ns

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