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EDB4064B4PB-1DIT-F-R

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Référence EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence EDB4064B4PB-1DIT-F-R Fabricant Micron Technology
La description IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4970 pcs Fiche technique EDB1316BD, 1332BD, 2432B4, 4064B4
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 1.14 V ~ 1.95 V La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Package composant fournisseur 216-WFBGA (12x12) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 216-WFBGA
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 4Gb (64M x 64) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12) Fréquence d'horloge 533MHz

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