EDB4432BBBJ-1D-F-R
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| Référence | EDB4432BBBJ-1D-F-R |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.239 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EDB4432BBBJ-1D-F-R | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 11286 pcs | Fiche technique | EDB4416BBBH, EDB4432BBBJ |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V | La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Package composant fournisseur | 134-FBGA (10x11.5) | Séries | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 134-WFBGA |
| Autres noms | EDB4432BBBJ-1D-F-R TR EDB4432BBBJ-1D-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1D-F-RTR |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5) |
| Fréquence d'horloge | 533MHz |
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