EDB4416BBBH-1DIT-F-R
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| Référence | EDB4416BBBH-1DIT-F-R |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.57 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EDB4416BBBH-1DIT-F-R | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 11044 pcs | Fiche technique | EDB4416BBBH, EDB4432BBBJ |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 1.14 V ~ 1.95 V | La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Séries | - | Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz | Fréquence d'horloge | 533MHz |
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