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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR211700L

UNR211700L

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Référence UNR211700L
Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4506 pcs
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Référence UNR211700L Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4506 pcs Fiche technique UNR211x Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G1 Séries -
Résistance - Base (R1) 22 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms UN2117
UN2117CT
UN2117CT-ND
UNR211700LCT		 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 80MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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