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SPV1001N30

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Référence SPV1001N30
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 25923 pcs
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Référence SPV1001N30 Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 25923 pcs Fiche technique SPV1001N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 850mV @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max) 30V Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)
La vitesse - Séries -
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-11456-1 Température d'utilisation - Jonction -45°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 30V 12.5A Surface Mount 8-PQFN (5x6) Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 30V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12.5A Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base SPV1001N30

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