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SPV1001N40

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Référence SPV1001N40
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5338 pcs
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Référence SPV1001N40 Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5338 pcs Fiche technique SPV1001N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 12.5A Tension - Ventilation 8-PQFN (5x6)
Séries - État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) - Résistance @ Si, F -
Polarisation 8-PowerVDFN Autres noms 497-12077-2
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant SPV1001N40 Description élargie Diode Standard 40V 12.5A Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Configuration diode 1µA @ 30V La description DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN
Courant - fuite, inverse à Vr 140mV @ 10A Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 40V
Capacité à Vr, F -45°C ~ 150°C

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