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STB15NM60N

STB15NM60N
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Référence STB15NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 30927 pcs
Référence Prix
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Référence STB15NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 30927 pcs Fiche technique STx15NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 7A, 10V Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-7935-2
STB15NM60N-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 14A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)

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