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STB160N75F3

STB160N75F3
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Référence STB160N75F3
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 26729 pcs
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Référence STB160N75F3 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 26729 pcs Fiche technique STx160N75F3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-7937-2
STB160N75F3-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6750pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 75V
Description détaillée N-Channel 75V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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